| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISKAYSOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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VISKAYSOP8 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SISLICONIX/VSOP |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
2658 |
22+ |
原装正品!现货供应! |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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SIX |
539 |
1535+ |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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SILIONIXSOP-8 |
12735 |
23+ |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYNA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
29403 |
1434+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
3350 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAYSOP |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
SI9410BDY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI9410BDY-T1图片
SI9410BDY-T1-GE3价格
SI9410BDY-T1-GE3价格：￥2.4740品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI9410BDY-T1-GE3多少钱，想知道SI9410BDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥2.4740。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI9410BDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI9410BDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI9410BDY-T1-GE3报价。
SI9410BDY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI9410BDY-T1功能描述:MOSFET 30V 8.1A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9410BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8.1A 0.024Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI9410BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 8.1A 2.5W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
