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IRHF9130	文件：128.74 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=-6.5A) InternationalRectifier’sRAD-HardHEXFETTMtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffec	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRHN9130	文件：135.55 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHNJ9130	文件：127.97 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHNJ9130	文件：126.5 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-0.5)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHY9130CM	文件：116.51 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffects	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHY9130CM	文件：122.1 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISD9130CFI	文件：6.04711 Mbytes Page：415 Pages	ISD9160TechnicalReferenceManual	NuvotonNuvoton Technology Corporation 新唐新唐科技股份有限公司	Nuvoton
ISD9130CYI	文件：6.04711 Mbytes Page：415 Pages	ISD9160TechnicalReferenceManual	NuvotonNuvoton Technology Corporation 新唐新唐科技股份有限公司	Nuvoton
KNH9130A	文件：494.24 Kbytes Page：7 Pages	40A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KNP9130A	文件：494.24 Kbytes Page：7 Pages	40A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KNX9130A	文件：494.24 Kbytes Page：7 Pages	40A竊?00VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
LET9130	文件：57.63 Kbytes Page：6 Pages	RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnology DESCRIPTION TheLET9130isacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheLET9130isdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcemod	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M9130	文件：57.68 Kbytes Page：6 Pages	6A,-100V,0.550Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardness	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
M9130	文件：120.33 Kbytes Page：1 Pages	NylonLocknuts	Heyco Heyco	Heyco

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详细参数

型号：
SI9130CG
功能描述：
电流型 PWM 控制器 Prog Dual Controller
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关频率：
27 KHz
工作电源电压：
6 V to 15 V
工作电源电流：
1.5 mA
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 105 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSSOP-14

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