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IRFR9120	文件：4.40685 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120	文件：1.6735 Mbytes Page：5 Pages	-100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vbs=-100V,Ip=-8A Rosin)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRFR9120N	文件：883.59 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120N	文件：117.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.6A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9120NPBF	文件：262.32 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=0.48廓,ID=-6.6A) HEXFET®PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9120NPBF	文件：263.29 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9120NPBF	文件：3.85223 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET HEXFET®PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120NPBF	文件：3.87272 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE HEXFET®PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120NTR	文件：1.6735 Mbytes Page：5 Pages	-100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures Vbs=-100V,Ip=-8A Rosin)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRFR9120NTRPBF	文件：2.42167 Mbytes Page：4 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9120NTRPBF	文件：1.08907 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFR9120NTRR	文件：3.88766 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120PBF	文件：1.18471 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR9120PBF	文件：4.40688 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120PBF	文件：4.28393 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR9120PBF	文件：1.05574 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9120TR	文件：4.28393 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9120TR	文件：1.89003 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFR9120TRA	文件：4.40688 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
SI9120DY
功能描述：
电流型 PWM 控制器 Univ Input Controllr
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关频率：
27 KHz
工作电源电压：
6 V to 15 V
工作电源电流：
1.5 mA
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 105 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSSOP-14

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