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详细参数

型号：
SI7941DP-T1-E3
功能描述：
MOSFET 30V 9.0A 1.4W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	SI7941DP-T1-E3	VIS			18000		询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	Si7941DP-T1-E3	VISHAY	1709+	SOP8	45000	普通	询价
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更多SI7941DP-T1-E3供应商更新时间2024-6-4 15:50:00

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