| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62116 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN |
15916 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
396 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
82 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYQFN-8 |
3000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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VISHAYQFN8 |
6888 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK SO-8 |
59730 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISQFN8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISQFN8 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世QFN-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAY |
3000 |
自己现货 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISQFN8 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
SI7456DP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7456DP图片
SI7456DP-T1-GE3价格
SI7456DP-T1-GE3价格：￥4.3063品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7456DP-T1-GE3多少钱，想知道SI7456DP-T1-GE3价格是多少？参考价：￥4.3063。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7456DP-T1-GE3批发价格及采购报价，SI7456DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI7456DP-T1-GE3报价。
SI7456DP中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7456DP制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI7456DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7456DP-T1功能描述:MOSFET 100V 9.3A 5.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7456DP-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 9.3A 5.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7456DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7456DP-TI-GE3制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SO-8 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):8.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
