| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
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VISMSOP-8 |
6047 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世MSOP-8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世MSOP-8 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
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VISHAY/威世NA/ |
25 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSOP8 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
6523 |
2016+ |
只做原装正品现货!或订货! |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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VISHAY8-TSSOP |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYTSOP8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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VISHAYTSOP8 |
6200 |
2021+ |
百分百原装正品 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
6528 |
1735+ |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
6850 |
23+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSOP8 |
7360 |
2020+ |
公司主营品牌,全新原装现货超低价! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYTSOP8 |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
SI6969BDQ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI6969BDQ图片
SI6969BDQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6969BDQ制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
SI6969BDQ-T1功能描述:MOSFET 12V 4.6A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 0.83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6969BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
