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SI6968BEDQ-T1-GE3	文件：256.69 Kbytes Page：11 Pages	Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection FEATURES •TrenchFET®powerMOSFETs •ESDprotected:3000V •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note •*(Pb)-containingterminationsarenotRoHS-compliant. Exemptionsmayapply	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI6968BEDQ-T1-GE3	文件：224.29 Kbytes Page：11 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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SI6968BEDQ-T1-GE3

文件：256.69 Kbytes

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Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFETs •ESDprotected:3000V •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note •*(Pb)-containingterminationsarenotRoHS-compliant. Exemptionsmayapply

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SI6968BEDQ-T1-GE3

文件：224.29 Kbytes

Page：11 Pages

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

详细参数

型号：
SI6968BEDQ-T1-GE3
功能描述：
MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI6968BEDQ-T1-GE3供应商更新时间2024-6-14 14:44:00

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