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SI6543DQ-T1-GE3

VBSEMI
TSSOP8

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

相关企业:深圳市九方航科技有限公司

SI6543DQ-T1-GE3

VB
TSSOP8

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

相关企业:京海半导体(深圳)有限公司

SI6543DQ-T1-GE3

VB
TSSOP8

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

相关企业:京海半导体(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI6543DQ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
22+
TSSOP-8
20000
保证原装正品,假一陪十
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原装现货假一罚十
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只做原装假一罚十,欢迎咨询
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更多SI6543DQ-T1-GE3供应商 更新时间2024-4-21 14:11:00