| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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VISHAY |
1400 |
03+25 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市宏德伟创科技有限公司1年
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VISHAYTSSOP |
8000 |
23+ |
原装正品 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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VISHAYTSSOP-8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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VISHAYTSSOP8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VISHAY-威世车规-元器件 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
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VISHAYSOP8 |
45000 |
1709+ |
普通 |
SI6475DQ-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI6475DQ-T1图片
Si6475DQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6475DQ-T1功能描述:MOSFET 12V 10A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6475DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 10A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6475DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 10A 1.75W 11mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
