选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYTSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYTSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
880000 |
03+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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VISHAYNA |
1390 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
9852 |
1836+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
1302 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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SI6467BDQ-T127000 |
27000 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSSOP08 |
12950 |
22+ |
进口原装 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSSOP-8 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
4552 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
1458 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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SI6467BDQ-T1图片
SI6467BDQ-T1-GE3价格
SI6467BDQ-T1-GE3价格:¥3.9036品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI6467BDQ-T1-GE3多少钱,想知道SI6467BDQ-T1-GE3价格是多少?参考价:¥3.9036。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI6467BDQ-T1-GE3批发价格及采购报价,SI6467BDQ-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI6467BDQ-T1-GE3报价。
SI6467BDQ-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6467BDQ-T1功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.05W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467BDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6467BDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.5W 12.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube