| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
SINA/ |
3310 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
|
SITSSOP8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
VISHAYTSSOP8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世MSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
5000 |
有部份现货 |
|||||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
VISMSOP-8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
SITSSOP8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
SITSSOP8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
32500 |
1709+ |
普通 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
SITSSOP8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
SITSSOP8 |
60 |
23+ |
||||
|
深圳市九方航科技有限公司3年
留言
|
VISMSOP-8 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
SITSSOP8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
香港创芯邦电子有限公司2年
留言
|
SILTSSOP-8 |
32 |
23+ |
现货库存 |
|||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世TSSOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
1275 |
1112+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
VISHAYTSSOP-8 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
9250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
SI6410DQ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI6410DQ图片
SI6410DQ-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6410DQ功能描述:MOSFET 30V/20V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6410DQ-T1功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6410DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6410DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 7.8A 1.5W 14mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
