| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
15679 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
90000 |
22+ |
全系列供应价格优势 只卖原装正品 可做含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
22446 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
5556 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SINA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBSOIC-8 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOP8 |
100000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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SIL |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
2568 |
22+ |
原装优势!绝对公司现货 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
27580 |
23+ |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP |
6000 |
21+ |
原装正品 |
SI4966D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4966D图片
SI4966DY-T1-E3价格
SI4966DY-T1-E3价格：￥4.9227品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4966DY-T1-E3多少钱，想知道SI4966DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.9227。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4966DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4966DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4966DY-T1-E3报价。
SI4966DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4966DY功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4966DY-E3功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4966DYT1制造商:Vishay Siliconix
SI4966DY-T1功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4966DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
