| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONSOP8 |
30000 |
21+ |
全新原装正品 长期现货供应 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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原装VISHAYSOP8 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
952 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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4000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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N原厂封装 |
15000 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2500 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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226 |
1848 |
原装现货 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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VISHAYSOP8 |
1000 |
22+ |
原装正品 现货 真诚出货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
12896 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
33457 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VISN/A |
50000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
SI4948采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4948图片
SI4948BEY-T1-GE3价格
SI4948BEY-T1-GE3价格：￥1.8172品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4948BEY-T1-GE3多少钱，想知道SI4948BEY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.8172。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4948BEY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4948BEY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4948BEY-T1-GE3报价。
SI4948BEY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4948BEY制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL PP SO-8
SI4948BEY_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 60-V(D-S) 175 Celsius MOSFET
SI4948BEY-E3功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948BEY-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 3.1A 0.12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948BEY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948EY功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948EY-E3功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948EY-T1功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948EY-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4948EY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
