选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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VISHAYSOP8 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
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SILSOIC-8 |
3000 |
22+ |
原装现货库存.价格优势 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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SI贴片 |
3000 |
自己现货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAYSOP8 |
1753 |
05+ |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAYSOP8 |
11745 |
24+ |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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VISHAY原包装 |
3560 |
原装正品!假一罚十!现货库存热卖 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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上海鑫科润电子科技有限公司8年
留言
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SILSOIC-8 |
2 |
02+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP8 |
11745 |
2219+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
2235 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAYSOP8 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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D/CDC |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISSOP-8 |
500 |
23+ |
SI4940DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4940DY图片
SI4940DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4940DY功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-E3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube