| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
543 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60607 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
59709 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHASOP |
28080 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/SILICONIX |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SISOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SISOP-8 |
670 |
23+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/SILICONIX原厂封装 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
3500 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
59210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP |
3525 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
SI4866DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4866DY图片
SI4866DY-T1-E3价格
SI4866DY-T1-E3价格：￥6.0785品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4866DY-T1-E3多少钱，想知道SI4866DY-T1-E3价格是多少？参考价：￥6.0785。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4866DY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4866DY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4866DY-T1-E3报价。
SI4866DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4866DY功能描述:MOSFET N-Ch 12 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-E3制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor Transistor Polarity:NP
SI4866DY-T1功能描述:MOSFET 12V 17A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-T1-E3功能描述:MOSFET 12 Volt 11 Amp 3.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4866DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
