| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世SOP8 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOP-8 |
9000 |
2020/免费拿样 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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VISHAYSOP8 |
52500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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VISHAYSOP-8 |
20000 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
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VISHAY/威世SOP-8 |
32678 |
诚信经营 原盒原标 正品现货 价格美丽 假一罚十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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VISHAY/威世SOP8 |
5000 |
23+ |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
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VISHAYSOP8 |
3827 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
6528 |
2016+ |
只做进口原装现货!或订货,假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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VISHAYSOP-8 |
20000 |
06+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISHAY模块 |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
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VISHAYSOP-8 |
7854 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
9999 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSOP8 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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VISHAY/威世SOP8 |
84978 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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SILIC0NIKSOP8 |
5000 |
23+ |
现货库存,全新原装,特价销售 |
SI4505DY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4505DY-T1图片
SI4505DY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4505DY-T1功能描述:MOSFET 30/8V 7.8/5.0A 1.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4505DY-T1-E3功能描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI4505DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
