| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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40 |
0413+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
59871 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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香港创芯邦电子有限公司2年
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SISOP8 |
2600 |
23+ |
现货库存 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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SISOP8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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SISOP8 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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VISHAYSOP |
3200 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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SISOP-8 |
9800 |
23+ |
现货库存,全新原装,特价销售 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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SISOP8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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SISOP8 |
3750 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
9048 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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SISOP-8 |
18578 |
19+ |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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威世SOP8 |
3800 |
21+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAYSOP8 |
63258 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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SI4486图片
SI4486EY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4486EY功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4486EY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI4486EY-E3功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4486EY-T1功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4486EY-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4486EY-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 7.9A 3.8W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
