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零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
---|---|---|---|---|
SI4462DY-T1-E3 | N-Channel 200 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号:
SI4462DY-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 200V 1.5A 2.5W 480mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
35680 |
只做进口原装QQ:373621633 |
询价 | ||
Bychip |
23+ |
SOP8 |
10000 |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
询价 | ||
VISHAY |
07+ |
SMD-8 |
101000 |
询价 | |||
VISHAY |
08+ |
SOP8 |
3300 |
全新原装现货100真实自己公司 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
8-SOIC |
6680 |
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VIS |
23+ |
SO8 |
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48900 |
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更新时间2024-5-1 10:30:00
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