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SI4430BDY-T1-E3	文件：993.44 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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SI4430BDY-T1-E3

文件：993.44 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
SI4430BDY-T1
功能描述：
MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI4430BDY-T1供应商更新时间2024-6-2 14:00:00

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