| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYSOP8 |
2500 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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SILICONIX原厂封装 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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SI8P |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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SISOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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SISOP |
5000 |
07+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix8-SOIC |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
7268 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VBSEMISO-8 |
29980 |
19+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOP |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
4326 |
新批次 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAYSOP-8 |
12000 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
11256 |
2018+ |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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VISHAY |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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SISOP8 |
6232 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay Siliconix8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
6852 |
22+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
30000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHATSOP-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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SI4427图片
SI4427BDY-T1-E3价格
SI4427BDY-T1-E3价格：￥3.0221品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4427BDY-T1-E3多少钱，想知道SI4427BDY-T1-E3价格是多少？参考价：￥3.0221。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4427BDY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4427BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4427BDY-T1-E3报价。
SI4427DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4427BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4427BDY-T1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4427BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4427DY-E3功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY-T1功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4427DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
