| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
5500 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
6000 |
20+原装正品 |
大量现货,免费发样。 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOP-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
45 |
0830+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRSO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
6900 |
2138+ |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
7977 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
75000 |
23+ |
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只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IRSOP8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌SOIC-8_150mil |
22730 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRSOP |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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SI4410DYTRPBF价格
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SI4410DYTRPBF
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SI4410DYTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4410DY功能描述:MOSFET 30V N-Ch. FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY /T3功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY,518功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY_Q功能描述:MOSFET 30V N-Ch. FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DYPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DYREVA制造商:SILICONIX 功能描述:*
SI4410DY-REVA功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY-REVA-E3功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY-T1制造商:Vishay Siliconix 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO
SI4410DY-T1-A-E3功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
