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SI4386DY	文件：172.41 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4386DY	文件：182.76 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4386DY	文件：170.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4386DY_17	文件：172.41 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4386DY_V01	文件：170.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
AK4386	文件：129.16 Kbytes Page：16 Pages	100DB96KHZ24BIT2CH GENERALDESCRIPTION TheAK4386isa24bitlowvoltage&lowpowerstereoDAC.TheAK4386usestheAdvancedMulti-BitDSarchitecture,thisarchitectureachievesDR=100dBat3Voperation.TheAK4386integratesacombinationofSCFandCTFfiltersincreasingperformanceforsystemswithexcessi	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AK4386	文件：237.57 Kbytes Page：18 Pages	100dB96kHz24-Bit2ch?誇DAC GENERALDESCRIPTION TheAK4386isa24bitlowvoltage&lowpowerstereoDAC.TheAK4386usestheAdvancedMulti-BitDSarchitecture,thisarchitectureachievesDR=100dBat3Voperation.TheAK4386integratesacombinationofSCFandCTFfiltersincreasingperformanceforsystemswithexcessi	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AK4386ET	文件：237.57 Kbytes Page：18 Pages	100dB96kHz24-Bit2ch?誇DAC GENERALDESCRIPTION TheAK4386isa24bitlowvoltage&lowpowerstereoDAC.TheAK4386usestheAdvancedMulti-BitDSarchitecture,thisarchitectureachievesDR=100dBat3Voperation.TheAK4386integratesacombinationofSCFandCTFfiltersincreasingperformanceforsystemswithexcessi	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AK4386VT	文件：129.16 Kbytes Page：16 Pages	100DB96KHZ24BIT2CH GENERALDESCRIPTION TheAK4386isa24bitlowvoltage&lowpowerstereoDAC.TheAK4386usestheAdvancedMulti-BitDSarchitecture,thisarchitectureachievesDR=100dBat3Voperation.TheAK4386integratesacombinationofSCFandCTFfiltersincreasingperformanceforsystemswithexcessi	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AKD4386	文件：129.16 Kbytes Page：16 Pages	100DB96KHZ24BIT2CH GENERALDESCRIPTION TheAK4386isa24bitlowvoltage&lowpowerstereoDAC.TheAK4386usestheAdvancedMulti-BitDSarchitecture,thisarchitectureachievesDR=100dBat3Voperation.TheAK4386integratesacombinationofSCFandCTFfiltersincreasingperformanceforsystemswithexcessi	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
MAX4386EESD	文件：377.9 Kbytes Page：13 Pages	Low-Cost,230MHz,Single/QuadOpAmpswithRail-to-RailOutputsand짹15kVESDProtection	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX4386EEUD	文件：377.9 Kbytes Page：13 Pages	Low-Cost,230MHz,Single/QuadOpAmpswithRail-to-RailOutputsand짹15kVESDProtection	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
PCM-4386	文件：334.7 Kbytes Page：2 Pages	IntelCeleron짰MEPICSBCwithVGA/LVDS/DualLAN/PC104Plus	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
PE4386	文件：407.05 Kbytes Page：3 Pages	BNCMaleConnectorClamp/SolderAttachment	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
PE4386	文件：306.5 Kbytes Page：2 Pages	BNCMaleConnectorClamp/SolderAttachmentForPE-B400,PE-B405,PE-C400	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
SGA-4386	文件：413.6 Kbytes Page：5 Pages	DC-4500MHZCASCADABLESIGEHBTMMICAMPLIFIER ProductDescription SirenazMicrodevicesSGA-4386isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SGA-4386	文件：84.01 Kbytes Page：4 Pages	DC-4500MHz,CascadableSiGeHBTMMICAmplifier ProductDescription TheSGA-4386isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions.Cancellationof	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
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SGA-4386Z	文件：84.01 Kbytes Page：4 Pages	DC-4500MHz,CascadableSiGeHBTMMICAmplifier ProductDescription TheSGA-4386isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions.Cancellationof	SIRENZASIRENZA 圆通微波上海圆通微波电子有限公司	SIRENZA
SGA4386ZSQ	文件：283.54 Kbytes Page：6 Pages	DCto4500MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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详细参数

型号：
SI4386DY
功能描述：
MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	SI4386DY	VISHAY	19+	SOP8	27551		询价
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更多SI4386DY供应商更新时间2024-6-8 10:20:00

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