| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
35000 |
24+ |
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热卖原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
24000 |
24+ |
原厂原包原装现货,假一赔百 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
2500 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
10000 |
23+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAYSMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD |
22500 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY进口原装 |
8811 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSO-8 |
5000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
19+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
10000 |
2020 |
原装现货只有原装 |
SI417采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI417图片
SI4178DY-T1-GE3价格
SI4178DY-T1-GE3价格：￥0.9842品牌：Vishay Siliconix
生产厂家品牌为Vishay Siliconix的SI4178DY-T1-GE3多少钱，想知道SI4178DY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.9842。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4178DY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4178DY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4178DY-T1-GE3报价。
SI4174DY-T1-GE3资讯
SI4178DY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
SI4174DY-T1-GE3原装现货
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SI4172DY-T1-GE3全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
SI4174DY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4170DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4172DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4172DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 15A 4.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4174DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4174DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 17A 5.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4176DY-T1-E3功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A SO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI4176DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4178DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI4178DY-T1-E3功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A SO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI4178DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
