| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
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VISHAYTSOP-6 |
19567 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VISHAY-威世TSOP-6 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳兆威电子有限公司7年
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VISHAYTSOP-6 |
63000 |
23+ |
原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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VBTSOP-6 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TSOP-6 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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SI3872DV-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3872DV-T1功能描述:MOSFET 30/-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3872DV-T1-E3功能描述:MOSFET 30/-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
