选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装标准 |
31684 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
7178 |
23+ |
百分百原装正品,可原型号开票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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VISHAYTSOP-6 |
53000 |
17+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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TECH PUBLIC(台舟)SOT23-6L |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
2000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
3022 |
23+ |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
6007 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAY/威世SOT23-6 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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17743 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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VISHAY威世半导体6-TSOP |
21838 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳中芯器材有限公司11年
留言
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VISHAY(威世)TDFN-4 |
7652 |
21+ |
进口原装/保证有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)TSOP-6 |
60939 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市伟胜微电子有限公司5年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
999999 |
18+ |
进口全新原装现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世NA |
880000 |
04+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
1400 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYNA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAY |
5632 |
2016+ |
只做进口原装正品!现货或者订货一周货期!只要要网上有 |
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SI3865DV价格
SI3865DV价格:¥1.1050品牌:VISHAY
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更多SI3865BDV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Load Switch with Level-Shift
SI3865BDV_RC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SI3865BDV-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3865BDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si3865CDV-T1-E3功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3865CDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
Si3865DDV-T1-GE3制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W
SI3865DV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:iLoad Switch with Level-Shift
SI3865DV-T1功能描述:电源开关 IC - 配电 8V 2.7A 0.83W RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5