| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)TSOP-6 |
60657 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT26 |
6000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-163 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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VISHAY/威世TSOP-6 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
33450 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23-6 |
27000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市华睿洋科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOT26 |
30000 |
22+ |
只做原装 只有原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
58300 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
40000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAYtsop-6 |
5000 |
20+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOT-23-6 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISTSMT6 |
33339 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix6-TSOP |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
45000 |
24+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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SI3458BDV图片
SI3458BDV-T1-GE3价格
SI3458BDV-T1-GE3价格：￥0.9086品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI3458BDV-T1-GE3多少钱，想知道SI3458BDV-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.9086。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3458BDV-T1-GE3批发价格及采购报价，SI3458BDV-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI3458BDV-T1-GE3报价。
Si3458BDV-T1-GE3资讯
SI3458BDV
SI3458BDV全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291
Si3458BDV-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3458BDV制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI3458BDV_09制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI3458BDV-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3458BDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
