| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHIBASOT-23-6 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-163 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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SILICONIXSOT163 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT |
3000 |
23+ |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT163 |
598000 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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SiliconixSOT163 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
9860 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT236 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VISHAYSMD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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VUSHSYSOT-163 |
5700 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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Bychip/百域芯SOT163 |
30000 |
21+ |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
5600 |
20+/21+ |
全新原装正品价格优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
12328 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
41760 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDSOT23-6 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY/SILICONIXSOT-163SOT-23-6 |
9200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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SI3447DV图片
SI3447DV价格
SI3447DV价格：￥0.8450品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3447DV多少钱，想知道SI3447DV价格是多少？参考价：￥0.8450。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3447DV批发价格及采购报价，SI3447DV销售排行榜及行情走势，SI3447DV报价。
SI3447DV资讯
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SI3447DV中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3447DV功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3447DV-T1功能描述:MOSFET 12V 5.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3447DV-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 5.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
