| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世21+ |
600000 |
SOT-163 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT23-6 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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ADI/亚德诺QFP |
10000 |
20+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOT-163 |
9860 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
39600 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
41761 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOT-23-6 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAYSOT-163 |
24000 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
10000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
600 |
24+ |
只做原装进口!正品支持实单! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世通SOT23-6 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世通SOT23-6 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT-163 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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SI3447BDV-T1图片
SI3447BDV-T1-E3价格
SI3447BDV-T1-E3价格：￥1.4553品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI3447BDV-T1-E3多少钱，想知道SI3447BDV-T1-E3价格是多少？参考价：￥1.4553。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3447BDV-T1-E3批发价格及采购报价，SI3447BDV-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI3447BDV-T1-E3报价。
SI3447BDV-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3447BDV-T1制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
SI3447BDV-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 5.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3447BDV-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 6.0A 2.0W 40mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
