| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSOP6 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-6 |
618 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
45000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-163 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
16350 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
51143 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
12000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
16350 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSOP-6 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
12000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYTSOP-6 |
46518 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-163 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOT-163 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
SI3430DV-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI3430DV-T1图片
SI3430DV-T1-GE3价格
SI3430DV-T1-GE3价格：￥2.2516品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI3430DV-T1-GE3多少钱，想知道SI3430DV-T1-GE3价格是多少？参考价：￥2.2516。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI3430DV-T1-GE3批发价格及采购报价，SI3430DV-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI3430DV-T1-GE3报价。
SI3430DV-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI3430DV-T1功能描述:MOSFET 100V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3430DV-T1-E3功能描述:MOSFET 100V 8A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3430DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
