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MAX2369	文件：228.8 Kbytes Page：16 Pages	CompleteDual-BandQuadratureTransmitter	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2369EGM	文件：228.8 Kbytes Page：16 Pages	CompleteDual-BandQuadratureTransmitter	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2369EGM	文件：237.23 Kbytes Page：16 Pages	CompleteDual-BandQuadratureTransmitter	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MD2369	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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MD2369	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MD2369A	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MD2369A	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MD2369A	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MD2369B	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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MMBT2369	文件：155.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingta	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT2369	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2369	文件：1.04553 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369	文件：65.69 Kbytes Page：1 Pages	Epitaxialplanardieconstruction. FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Idealformediumpoweramplificationandswitching.	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
MMBT2369	文件：145.87 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369	文件：144.84 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. Ultra-smallsurfacemountpackage.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
MMBT2369	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2369(A)LT1	文件：386.11 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS

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