| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
35000 |
24+ |
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热卖原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-3 |
31625 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62837 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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SECSOP-20 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYSOT-23-3 (TO-236) |
6000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世SOT-23 |
9000 |
24+ |
只做原装正品现货假一赔十 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VI1ORIGINAL |
25000 |
22+ |
原装现货、假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
12780 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-236-3 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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6000 |
10+ |
SOT-23-3 (TO-236) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSOT-23-3 (TO-236) |
6000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
3250 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
24000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
8223 |
1443+ |
只做原装正品 |
SI2316采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI2316图片
SI2316DS价格
SI2316DS价格：￥0.5850品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI2316DS多少钱，想知道SI2316DS价格是多少？参考价：￥0.5850。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2316DS批发价格及采购报价，SI2316DS销售排行榜及行情走势，SI2316DS报价。
SI2316DS-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2316BDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.5A 1.66W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2316BDS-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL 30-V(D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2316DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI2316DS-T1功能描述:MOSFET 30V 3.4A 0.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2316DS-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2316DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
