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SI2309DS	文件：41.42 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2309DS	文件：95.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2309DS	文件：1.73595 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2309DS_08	文件：95.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2309DS-3	文件：1.78295 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2309DS-HF	文件：1.76392 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2309DS-HF-3	文件：1.80018 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2309DS-T1	文件：95.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2309DS-T1-E3	文件：95.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI2309DS-T1-GE3	文件：1.67934 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2309	文件：96.1 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司	FESTO
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AIC2309	文件：223.42 Kbytes Page：10 Pages	1ADualSynchronousStep-downDC/DCConverter	AIC AIC	AIC
AM2309	文件：446.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET20VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2309isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=-20V RDS(ON),VGS@-4.5V,IDS@-2.8A=100mΩ RDS(ON),VGS@-2.5V,IDS@-2.0A=150mΩ Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance FullyCharacterizedAvalancheVoltageand	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2309P	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2309AGN	文件：1.04724 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SI2309DS
制造商：
Vishay Siliconix
功能描述：
MOSFET P SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	SI2309DS	Vishay(威世)	23+	标准封装	14348	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
深圳市特瑞斯科技有限公司	SI2309DS	VISHAY	23+	SOT-23	690000	一级分销商	询价
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