SI2304DDS-T1-GE3规格书批发供应微碧半导体-114ic电子网

首页 >SI2304DDS-T1-G>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SI2304DDS-T1-GE3	文件：487.49 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SI2304DDS-T1-GE3	文件：206.16 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

零件编号

下载&订购

功能描述

制造商&上传企业

LOGO

SI2304DDS-T1-GE3

文件：487.49 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SI2304DDS-T1-GE3

文件：206.16 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

详细参数

型号：
SI2304DDS-T1-G
功能描述：
MOSFET 30V 3.6A 1.7W 60mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY	23+	SOT23	12000	全新原装,优势现货	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY/威世	23+	SOT-23	76000	IR英飞凌VISHAY专做全新原装进口正品假一赔百,可开13	询价
深圳市芯峰微电子科技有限公司	SI2304DDS-T1-ge3	VISHAY	21+	SOT-23	36000	原装现货、工厂库存	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY/威世	24+	SOT-23	45000	热卖优势现货	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY/威世	2019+	QR	3333	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市恒意法电子有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY	21+	SOT-23	5000	专营原装正品现货,当天发货,可开发票!	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY	21+	SOT-23	60000	全新原装公司现货	询价
深圳市珩瑞科技有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY/威世	21+	SOT-23	6000	原装正品	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY	2018	SOT23	31	原装现货只有原装	询价
深圳市安博威科技有限公司	SI2304DDS-T1-GE3	VISHAY	21+	SOT-23-3 (TO-236)	69000	原装正品有挂有货	询价

更多SI2304DDS-T1-G供应商更新时间2024-5-26 14:03:00

详细参数

相关规格书

相关库存