| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC706 |
7906200 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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VISHAYSC70-6 |
3000 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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实库VISHAYSOT23 |
25000 |
22+ |
原装现货、假一赔十 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
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VISHAYSC70-6 |
3500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世SC70-6 |
41120 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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VISHAY/威世SC70-6 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAY |
6000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT-363 |
12580 |
24+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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原装SixSOT-363 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT-363 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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SIXSOT-363 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-363 |
6000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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VISHAYSC70-6 |
4897 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT363 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-363 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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VIHSAY/SILICONIXSOT-363SOT-323-6 |
9200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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库存109KNA/ |
6265 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT-363 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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SI1903DL图片
SI1903DL-T1-GE3价格
SI1903DL-T1-GE3价格：￥1.4233品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1903DL-T1-GE3多少钱，想知道SI1903DL-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.4233。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1903DL-T1-GE3批发价格及采购报价，SI1903DL-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI1903DL-T1-GE3报价。
SI1903DL中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1903DL制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
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SI1903DL-T1功能描述:MOSFET 20V 0.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1903DL-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1903DL-T1-GE3功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
