| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYSC70-6 |
15000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-363-6 |
35000 |
24+ |
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热卖原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23-6 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-363-6 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC706 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT363 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAY/31OT363 |
8560 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOT-363-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-363-6 |
151288 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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VISHAYSC70-6 |
5000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-363-6 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SC70-6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
147000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOT363 |
12000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SOT-363-6 |
61347 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-6 |
20000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价优 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT-363 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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STSOP |
50000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOT-363 |
6852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
SI1902DL-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI1902DL-T1图片
SI1902DL-T1-E3价格
SI1902DL-T1-E3价格：￥0.5850品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1902DL-T1-E3多少钱，想知道SI1902DL-T1-E3价格是多少？参考价：￥0.5850。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1902DL-T1-E3批发价格及采购报价，SI1902DL-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI1902DL-T1-E3报价。
SI1902DL-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1902DL-T1功能描述:MOSFET 20V 0.70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1902DL-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1902DL-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
