| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62240 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT423 |
36000 |
23+ |
一级分销商 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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VISHAY/威世SC-75AREEL |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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TOSHIBA/东芝DIP16 |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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VishaySC-75A |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOT-523 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT523 |
7906200 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-523 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SC-75A |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAYSMD |
19106 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOT-523 |
9860 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT |
13207 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-523 |
33200 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT523 |
1468 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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VISHAYSI1012R-TI-GE3 |
6000 |
23+ |
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原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市硅虎电子有限公司15年
留言
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VISHAYSOT-523 |
6000 |
0642+ |
进口原装公司现货热卖 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOT-523 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SC-75AREEL |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-523 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
SI1012R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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SI1012R价格
SI1012R价格：￥0.4550品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1012R多少钱，想知道SI1012R价格是多少？参考价：￥0.4550。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1012R批发价格及采购报价，SI1012R销售排行榜及行情走势，SI1012R报价。
Si1012R-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
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SI1012R_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
SI1012R_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
SI1012R_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.8 V(G-S) MOSFET
SI1012R-T1功能描述:MOSFET 20V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1012R-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1012R-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
