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SGS5N150UFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1500V 10A 50W TO220F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G5N150UF	文件：289.87 Kbytes Page：6 Pages	GeneralDescription GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. SGS5N150UFisdesignedfortheSwitchingPowerSupplyapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=4.7V@IC=5A •HighInputImpeda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF5N150UF	文件：292.89 Kbytes Page：6 Pages	GeneralDescription GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. SGF5N150UFisdesignedfortheSwitchingPowerSupplyapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=4.7V@IC=5A •HighInputImpeda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGL5N150UF	文件：291.67 Kbytes Page：6 Pages	GeneralDescription	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS5N150	文件：289.87 Kbytes Page：6 Pages	GeneralDescription GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. SGS5N150UFisdesignedfortheSwitchingPowerSupplyapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=4.7V@IC=5A •HighInputImpeda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGS5N150UF	文件：289.87 Kbytes Page：6 Pages	GeneralDescription GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. SGS5N150UFisdesignedfortheSwitchingPowerSupplyapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=4.7V@IC=5A •HighInputImpeda	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
STS5N150	文件：114.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL150V-0.045OHM-5ASO-8LOWGATECHARGESTripFET??POWERMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomand	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STS5N150	文件：966.45 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
SGS5N150UFTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
5.5V @ 10V，5A
开关能量：
190µJ（开），100µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/30ns
测试条件：
600V，5A，10 欧姆，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3
描述：
IGBT 1500V 10A 50W TO220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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