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SGM2014M中文资料PDF规格书

SGM2014M
厂商型号

SGM2014M

功能描述

GaAs N-channel Dual Gate MES FET?

文件大小

107.43 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 SONY
企业简称

Sony索尼

中文名称

索尼官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-6 14:56:00

SGM2014M规格书详情

Description

The SGM2014M is an N-channel dual gate GaAs MES FET for UHF band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers.

Features

• Low voltage operation

• Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz

• High gain: Ga = 18dB (typ.) at 900MHz

• Low cross-modulation

• High stability

• Built-in gate-protection diode

• Standard SOT-143 package

Application

UHF band amplifier, mixer and oscillator

产品属性

  • 型号:

    SGM2014M

  • 制造商:

    SONY

  • 制造商全称:

    Sony Corporation

  • 功能描述:

    GaAs N-channel Dual Gate MES FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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