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FGL60N170D	文件：558.95 Kbytes Page：8 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A •HighInputImpedance	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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制造商&上传企业

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FGL60N170D

文件：558.95 Kbytes

Page：8 Pages

ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A •HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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更多SGL60N170D供应商更新时间2024-6-7 20:17:00

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