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SGB15N60分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

SGB15N60
厂商型号

SGB15N60

参数属性

SGB15N60 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 27A 138W TO263-3

功能描述

Fast IGBT in NPT-technology
IGBT 600V 27A 138W TO263-3

文件大小

415.92 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-1 23:00:00

SGB15N60规格书详情

Fast IGBT in NPT-technology

• 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

SGB15N60属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的SGB15N60晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    SGB15N60HSATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.15V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    530µJ

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    13ns/209ns

  • 测试条件:

    400V,15A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    PG-TO263-3-2

  • 描述:

    IGBT 600V 27A 138W TO263-3

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