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KGT15N120KDA	文件：1.56816 Mbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT15N120NDA	文件：101.97 Kbytes Page：6 Pages	SEMICONDUCTORTECHNICALDATA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT15N120NDH	文件：1.48325 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT15N120NDS	文件：1.47451 Mbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MIW15N120FA	文件：2.04572 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V15A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW15N120FA-BP	文件：2.04572 Mbytes Page：7 Pages	TrenchandFieldStopIGBT1200V15A Features •LowVCE(sat)Trench-FSIGBTtechnology •Positivetemperaturecoefficient •Includingfast&softrecoveryanti-parallelFWD •Highshortcircuitcapability(10us) •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •LeadFreeFinish/RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MPCC15N120A	文件：419.4 Kbytes Page：6 Pages	ZeroReverseRecoveryCurrent Features ZeroReverseRecoveryCurrent ZeroForwardRecoveryVoltage Temperature-independentSwitchingBehavior PositiveTemperatureCoefficientonVF High-speedswitchingpossibleandsurgecurrentcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) MotorDrives PowerFacto	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MPCK15N120A	文件：419.4 Kbytes Page：6 Pages	ZeroReverseRecoveryCurrent Features ZeroReverseRecoveryCurrent ZeroForwardRecoveryVoltage Temperature-independentSwitchingBehavior PositiveTemperatureCoefficientonVF High-speedswitchingpossibleandsurgecurrentcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) MotorDrives PowerFacto	FS First Silicon Co., Ltd	FS
NGTB15N120FLWG	文件：186.94 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB15N120IHLWG	文件：173.51 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB15N120IHRWG	文件：176.42 Kbytes Page：10 Pages	MonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB15N120IHWG	文件：127.64 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB15N120LWG	文件：176.11 Kbytes Page：9 Pages	Incorporatedintothedeviceisaruggedco?뭦ackagedfreewheelingdiodewithalowforwardvoltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SGH15N120RUF	文件：495.41 Kbytes Page：7 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswher	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH15N120RUFD	文件：556.76 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedIGBT GeneralDescription FairchildsRUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinvertersw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGP15N120	文件：460.59 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter -SMPS •NPT-Technologyoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeha	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SGP15N120	文件：407.98 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology40lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
SGB15N120
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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