零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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SGB02N60 | FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
SGB02N60 | Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
包装:管件 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 6A 30W TO263-3 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
NCHANNELENHANCEMENTMODE | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | |||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | |||
FastSwitchingCharacteristic | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | |||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | |||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 |
详细参数
- 型号:
SGB02N60
- 功能描述:
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
英飞翎 |
17+ |
D2PAK(TO-263) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
TO-263 |
12800 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
08+(pbfree) |
P-TO263-3-2 |
8866 |
询价 | |||
Infineon |
2017+ |
TO-263 |
65895 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
询价 | ||
INFINEON |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
TOS |
23+ |
SOP |
50000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
90150 |
正品授权货源可靠 |
询价 |
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