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SDUD03N50	文件：418.46 Kbytes Page：10 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop
FTP03N50D	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
NDD03N50Z	文件：299.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDD03N50Z	文件：124.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,3.3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDD03N50Z	文件：1.0755 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

更多SDUD03N50供应商更新时间2024-5-16 15:00:00