SD1526-01分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
SD1526-01 |
参数属性 | SD1526-01 封装/外壳为M115;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115 |
功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/DME APPLICATIONS |
文件大小 |
428.45 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 17:08:00 |
SD1526-01规格书详情
DESCRIPTION
The SD1526-1 is a gold metallized, silicon NPN power transistor. The SD1526-1 is designed for applications requiring peak power and low duty cycles such as IFF, DME, TACAN. The SD1524-1 is packaged in the .280 input matched stripline package resulting in improved broadband performance and a low thermal resistance.
SD1526-01属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。美高森美公司制造生产的SD1526-01晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
SD1526-01
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
45V
- 频率 - 跃迁:
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益:
9.5dB
- 功率 - 最大值:
21.9W
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
1A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
M115
- 供应商器件封装:
M115
- 描述:
RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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