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SD1143中文资料PDF规格书

SD1143
厂商型号

SD1143

参数属性

SD1143 封装/外壳为M113;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件大小

86.85 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Advanced Semiconductor, Inc
企业简称

ASI

中文名称

Advanced Semiconductor, Inc官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-15 12:12:00

晶体管资料

  • 型号:

    SD1143

  • 别名:

    SD1143三极管、SD1143晶体管、SD1143晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    高频放大(AH)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    36V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    4

  • 可代换的型号:

    3DK106B,

  • 最大耗散功率:

    37W

  • 放大倍数:

    β>5

  • 图片代号:

    G-105

  • vtest:

    36

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    37

SD1143规格书详情

DESCRIPTION:

The ASI SD1143 is 12.2 V Class C Transistor, designed for VHF mobile communications.

FEATURES:

• Common Emitter

• PG = 10 dB at 10 W/175 MHz

• Omnigold™ Metalization System

产品属性

  • 产品编号:

    SD1143-01

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    18V

  • 频率 - 跃迁:

    175MHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    20W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 250mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    2A

  • 工作温度:

    200°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    M113

  • 供应商器件封装:

    M113

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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