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MAX2035CCQ+D	文件：194.01 Kbytes Page：13 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2035CCQ+TD	文件：194.01 Kbytes Page：13 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2035CCQ+TD	文件：243.13 Kbytes Page：12 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier GeneralDescription TheMAX20358-channelvariable-gainamplifier(VGA)isdesignedforhighlinearity,highdynamicrange,andlow-noiseperformancetargetingultrasoundimagingandDopplerapplications.Eachamplifierfeaturesdifferentialinputsandoutputsandatotalgainrangeoftypically	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2035CCQ-D	文件：243.13 Kbytes Page：12 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier GeneralDescription TheMAX20358-channelvariable-gainamplifier(VGA)isdesignedforhighlinearity,highdynamicrange,andlow-noiseperformancetargetingultrasoundimagingandDopplerapplications.Eachamplifierfeaturesdifferentialinputsandoutputsandatotalgainrangeoftypically	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2035CCQ-D	文件：194.01 Kbytes Page：13 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2035CCQ-TD	文件：243.13 Kbytes Page：12 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier GeneralDescription TheMAX20358-channelvariable-gainamplifier(VGA)isdesignedforhighlinearity,highdynamicrange,andlow-noiseperformancetargetingultrasoundimagingandDopplerapplications.Eachamplifierfeaturesdifferentialinputsandoutputsandatotalgainrangeoftypically	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX2035CCQ-TD	文件：194.01 Kbytes Page：13 Pages	UltrasoundVariable-GainAmplifier	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MBR2035	文件：98.94 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts 20AmpSchottkyBarrierRectifier20to200Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixd	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR2035	文件：665.7 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR2035	文件：470.93 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035	文件：459.64 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035	文件：820.12 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035	文件：470.93 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035	文件：470.93 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035	文件：170.08 Kbytes Page：6 Pages	Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
MBR2035	文件：459.64 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035	文件：820.11 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2035CA	文件：666.91 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereDualCommonAnodeSchottkyBarrierRectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBR2035CT	文件：208.95 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR2035CT	文件：67.54 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •MeatlofSiliconRectifier,MajorityConducton •Guardringfortransientprotection •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability,HighEfficiency •LowPowerLoss	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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产品属性

产品编号：
SBL2035CT
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
20A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB

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更多SBL2035供应商更新时间2024-5-16 9:30:00

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