| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT223 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美NA |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-261-4,TO-261AA |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-223-4 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
5000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
6950 |
23+ |
实实在在-只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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ONSOT-223 |
84354 |
23+ |
原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT2234 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
60620 |
22+ |
4000 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
6950 |
23+ |
实实在在-只做原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
3000 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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onsemin/a |
1484 |
21+ |
原装正品订货,请确认 |
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亚泰电子科技有限公司7年
留言
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ONSEMISMD |
39000 |
22+ |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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ON/安森美TSSOP |
10000 |
23+ |
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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ONNA |
10575 |
18+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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ONNA |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)SOT2234 |
6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
SBCP56-10T1G采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SBCP56-10T1G图片
SBCP56-10T1G价格
SBCP56-10T1G价格：￥0.7859品牌：ON
生产厂家品牌为ON的SBCP56-10T1G多少钱，想知道SBCP56-10T1G价格是多少？参考价：￥0.7859。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SBCP56-10T1G批发价格及采购报价，SBCP56-10T1G销售排行榜及行情走势，SBCP56-10T1G报价。
SBCP56-10T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多SBCP56-10T1G功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
SBCP56-10T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
- 描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223
