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S34ML04G104BHI013	文件：2.76677 Mbytes Page：73 Pages	Spansion짰 SLC NAND Flash Memory for Embedded GeneralDescription TheSpansionS34ML01G1,S34ML02G1,andS34ML04G1seriesisofferedin3.3VCCandVCCQpowersupply,andwithx8orx16I/Ointerface.ItsNANDcellprovidesthemostcost-effectivesolutionforthesolidstatemassstoragemarket.Thememoryisdividedintoblocksthatcan	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
S34ML04G104BHI013	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：63-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP

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S34ML04G104BHI013

文件：2.76677 Mbytes

Page：73 Pages

Spansion짰 SLC NAND Flash Memory for Embedded

GeneralDescription TheSpansionS34ML01G1,S34ML02G1,andS34ML04G1seriesisofferedin3.3VCCandVCCQpowersupply,andwithx8orx16I/Ointerface.ItsNANDcellprovidesthemostcost-effectivesolutionforthesolidstatemassstoragemarket.Thememoryisdividedintoblocksthatcan

spansionSPANSION

飞索飞索半导体

spansion

S34ML04G104BHI013

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：托盘封装/外壳：63-VFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CYP

产品属性

产品编号：
S34ML04G104BHI013
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
ML-1
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
4Gb（256M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-BGA（11x9）
描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

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更多S34ML04G104BHI013供应商更新时间2024-6-2 13:02:00

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