| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
18400 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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SUBTO-263 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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STTO |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市嘉势达电子有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263 |
54500 |
14+ |
百分百原装正品现货 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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VISHAYTO-263 |
6430 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VBSEMI台湾微碧TO263 |
22820 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYTO263 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYTO-263 |
25000 |
2018+ |
一级专营品牌全新原装热卖 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYTO263 |
200 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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TO-252 |
3000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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INTERSIL |
98000 |
SOT263 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
3576 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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VISHAYTO263 |
24896 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYTO263 |
6523 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SILICONIXSOT-263 |
252 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
18400 |
09+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
30000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
SUB85N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SUB85N03图片
SUB85N03-04P-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SUB85N03-04P功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB85N03-04P-E3功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB85N03-07P功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB85N03-07P-E3功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
