选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-263 |
16242 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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N/A |
1600 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世现货很近!原厂很远!只做原装 |
32500 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYTO-263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世 |
2000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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VISHAYTO-263 |
6430 |
2021+ |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY |
2000 |
08+ |
普通 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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VISHAY |
26589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO-263 |
25899 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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SILICONIXTO263 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VINA/ |
62 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYTO-263 |
681 |
1932+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP |
251156 |
1715+ |
只做原装正品现货假一赔十! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
SUB75N06采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SUB75N06图片
SUB75N06-12L资讯
SUB75N06-08 深圳市捷伦达电子科技有限公司
深圳市捷伦达电子科技有限公司,联系电话0755-2394351383239920传真0755-83239920QQ:1016106320571903090公司网址:http://www.lingxukj.com/
SUB75N06-12L中文资料Alldatasheet PDF
更多SUB75N06-06功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB75N06-07L功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB75N06-07L-E3功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB75N06-08功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB75N06-08-E3功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUB75N06-12L功能描述:MOSFET 60V 75A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube